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J-GLOBAL ID：200903073245995353

リモートプラズマCVD装置及び膜形成方法

Inventor： 湯田 克久 ,  野上 裕
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  アネルバ株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000196619
Publication number (International publication number)：2002016056
Application date： Jun. 29, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 リモートプラズマCVD成膜において、プラズマ分解を意図しないガスをプラズマ生成領域に逆流させないようにする。【解決手段】 第1のガスをプラズマ生成領域に供給し、第1のガスの励起ガスと非励起ガスをプラズマ外の成膜領域で導入される第2のガスと反応させて成膜を行う際、第2のガスをプラズマ生成領域に逆流させないための多孔板をプラズマ生成領域と第2のガスの供給部との間に配置する。また、多孔板の配置によってプラズマ生成領域の圧力設定の自由度が低くなるのを解決するため、多孔板を境にしてプラズマ生成領域側及び成膜領域側にそれぞれ独立した圧力調整機構を備えるようにしてもよい。

Claim (excerpt)：

第1のガスのプラズマを形成するプラズマ生成領域が備えられ、前記プラズマ生成領域の外に被堆積基板を設置する基板保持機構と、前記プラズマ生成領域と前記被堆積基板との間で第2のガスを供給する供給手段とを有するプラズマCVD装置において、前記プラズマ生成領域と前記供給手段との間には複数の貫通孔が形成された多孔板が配置されており、前記貫通孔の開口率が5%以下であることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205

F-Term (29)：

5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AE23 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12 ,  5F045EH17 ,  5F045EH18 ,  5F045GB06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-329018   Applicant：キヤノン株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332571   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-071213   Applicant：日新電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-329018   Applicant：キヤノン株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332571   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-071213   Applicant：日新電機株式会社