半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069960
Publication number (International publication number)：1997260485
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体基板に深さの異なる複数のトレンチを、一回のエッチング工程で同時に形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】浅いトレンチ7aの開口幅を、深いトレンチ7bの開口幅より狭く設定し、浅いトレンチ7a部分でマイクロローディング効果が発生するエッチング条件を採用してエッチングする。【効果】浅いトレンチ7aでのエッチングレートが低下するので、この部分でのエッチング量が減少する。一方深いトレンチ7bでのエッチングレートの低下はない。したがって、レジストパターニングやエッチング工程を複数回施すことなく目的が達成され、製造工程の精度とスループットが向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に浅いトレンチと、深いトレンチとを同時に形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記複数のトレンチの形成工程においては、前記浅いトレンチの開口幅を前記深いトレンチの開口幅より狭く設定するとともに、少なくとも前記浅いトレンチにおいてマイクロローディング効果が発生するプラズマエッチング条件を採用することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/76 L , H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-073822 Applicant：キヤノン株式会社
特開平4-085928
特開平1-232739

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