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J-GLOBAL ID：200903073282800520

容量素子及びその製造方法

Inventor： 松田 明浩 ,  長野 能久 ,  那須 徹 ,  三河 巧
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997250428
Publication number (International publication number)：1999097634
Application date： Sep. 16, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 容量絶縁膜を構成する成分又は下部電極若しくは上部電極と接する他の金属膜を構成する成分が下部電極又は上部電極の柱状結晶の粒界を通って拡散し、容量絶縁膜の組成が変化して、容量素子の電気特性が劣化することを防止する。【解決手段】 容量素子は、下部電極と、該下部電極の上に形成されたBi系の強誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜2と、該容量絶縁膜2の上に形成された上部電極3とを備えており、上部電極3の上には第1のTi膜4が形成されている。上部電極3は、第1のPt膜11、第1のPtOx 層12、第2のPt膜13、第2のPtOx 層14及び第3のPt膜15の積層体よりなる。第1のPt膜11の柱状結晶の粒界と第2のPt膜13の柱状結晶の粒界とは互いにずれていると共に、第2のPt膜13の柱状結晶の粒界と第3のPt膜15の柱状結晶の粒界とは互いにずれている。

Claim (excerpt)：

下部電極と、該下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、該容量絶縁膜の上に形成された上部電極とを備えた容量素子であって、前記下部電極及び上部電極のうちの少なくとも1つの電極は、互いに同質の金属の柱状結晶よりなる第1の金属膜及び第2の金属膜を有しており、前記第1の金属膜を構成する柱状結晶の粒界と前記第2の金属膜を構成する柱状結晶の粒界とは互いに不連続であることを特徴とする容量素子。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-333373   Applicant：株式会社日立製作所