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J-GLOBAL ID：200903073297529431

磁性体論理素子及び磁性体論理素子アレイ

Inventor：
中村 志保

About 中村 志保

, 
羽根田 茂

About 羽根田 茂


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (2)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003094877
Publication number (International publication number)：2004006775
Application date： Mar. 31, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】小型で論理処理が行える新しい磁性体論理素子及びこの素子をアレイ化した磁性体論理素子アレイを提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも2つ以上の磁性層(HM、SM)、磁性層間の中間層(SP)と、磁性層(SM)の磁化方向制御部とを有し、磁性層(SM)の磁化方向を制御するための入力信号をA,B2つ以上設けそれぞれ0,1を割り当て、入力信号A,Bの組み合わせで磁性層(SM)の磁化を決定し、中間層を介した磁気抵抗効果の大小を出力信号Cとする磁性体論理素子を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも2つ以上の磁性部と、 前記2つ以上の磁性部の間に設けられたMR中間部と、 前記2つ以上の磁性部の少なくともいずれかの磁化方向を制御する磁化方向制御部と、 を備え、 前記磁性部の磁化方向を制御するための入力信号A及び入力信号Bを設けてそれぞれに「0」と「1」を割り当て、前記入力信号Aと前記入力信号Bとの組み合わせにより前記磁性部の磁化を決定し、前記MR中間部を介した磁気抵抗効果の大小を出力信号Cとしたことを特徴とする磁性体論理素子。
IPC (3)：
H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H03K19/177
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/22 ,  H03K19/177
F-Term (3)：
5J042BA01 ,  5J042BA11 ,  5J042DA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 回路素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-228423   Applicant：松下電器産業株式会社
  • MRAM装置およびMRAM装置への書き込み方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-235407   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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