相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001286998
Publication number (International publication number)：2003100991
Application date： Sep. 20, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】高速記録・消去が可能な相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法を提供する。【解決手段】相変化型不揮発性メモリ素子の相変化記録層として組成式がA(z)M(d)L(e)Sb(x)Te(y)(式中、z+d+e+x+y=100原子%、0<z、x、y<100原子%、0≦d<100原子%、0≦e<100原子%)で表される相変化材料を用いる。また前記相変化型不揮発性メモリ素子とトランジスターを接続してメモリーアレー化する。さらに相変化型不揮発性メモリ素子に対して記録と消去のパルス幅を等しくした電気信号を印加する。

Claim (excerpt)：

素子構成層として少なくとも組成式がA(z)M(d)L(e)Sb(x)Te(y)(式中、z+d+e+x+y=100原子%、0<z、x、y<100原子%、0≦d<100原子%、0≦e<100原子%)で表される化合物もしくは混合物からなる相変化材料を相変化記録層として有する相変化型不揮発性メモリ素子であって、前記A、MおよびLは、それぞれB、Al、Si、Ga、Ge、Ag、InあるいはBiの元素群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、SbとTeとの組成比(x/y)が、x/y≧1であることを特徴とする相変化型不揮発性メモリ素子。

IPC (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00 A

F-Term (10)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083HA02 , 5F083JA31 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特表平6-509909
特開平3-238882
電極間に小面積のコンタクトを製造するための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-531338 Applicant：マイクロンテクノロジーインコーポレーテッド

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