フラッシュEEPROMセル及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中川周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054336
Publication number (International publication number)：1997330989
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、素子の段差を最小化すると共に、しきい値電圧動作を効率的に実施することができるフラッシュEEPROMセル及びその製造方法に関するものである。【解決手段】本発明によるフラッシュEEPROMセルにおいてはフローティングゲートの両側を第1コントロールゲート及び第2コントロールゲートが夫々覆うように形成すると同時に互いに離隔された第1コントロールゲートと第2コントロールゲートをフローティングゲートを中心として対称となる構造に形成する。

Claim (excerpt)：

フラッシュEEPROMセルにおいて、トンネル酸化膜によりシリコン基板と電気的に絶縁されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートを含む全体構造上部に形成された誘電体膜と、前記フローティングゲートの両側の一部を各々含み、互いに離隔された状態で前記誘電体膜上部に形成された第1及び第2コントロールゲートと、前記フローティングゲート両側下部の前記シリコン基板に各々形成されたソース及びドレーン領域とによりなることを特徴とするフラッシュEEPROMセル。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

不揮発性メモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-101436 Applicant：ソニー株式会社
特開昭60-175437
特開昭59-033881

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