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J-GLOBAL ID：200903073387300549
n+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007125946
Publication number (International publication number)：2008010836
Application date： May. 10, 2007
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：
【課題】n+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極と、下部電極上に形成されたn+界面層と、n+界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。前記酸化物層は、p型遷移金属酸化物から形成される。前記酸化物層は、Ni酸化物層である。前記n+界面層は、ZnOx、TiOx、IZOxを含む酸素欠乏酸化物と、n型不純物が高濃度でドーピングされたZnO、TiO、IZOのうち少なくともいずれか一つの物質からなる。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
下部電極と、
前記下部電極上に形成されたn+界面層と、
前記n+界面層上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、
前記酸化物層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とするn+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子。
IPC (3)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083JA60
