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J-GLOBAL ID:200903073417695195
強誘電体薄膜、その製造方法、及びキャパシタ構造素子
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
梅田 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995168120
Publication number (International publication number):1996340086
Application date: Jun. 09, 1995
Publication date: Dec. 24, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、薄膜の表面が緻密で平坦であり、かつ十分に大きな残留自発分極を示す強誘電体薄膜を低温プロセスで作製可能な強誘電薄膜基板、その製造方法、及び前記強誘電体薄膜を用いたキャパシタ構造素子を提供することを目的としている。【構成】 強誘電体と常誘電体とを混在させて強誘電体薄膜を構成する。
Claim (excerpt):
強誘電体と常誘電体とが混在して成ることを特徴とする強誘電体薄膜。
IPC (12):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, C01G 29/00
, C30B 29/32
, G11C 11/22
, H01L 21/31
, H01L 21/316
, H01L 27/10 451
, H01L 41/187
, H01L 41/24
, H01L 49/02
, H01L 37/02
FI (11):
H01L 27/04 C
, C01G 29/00
, C30B 29/32 A
, G11C 11/22
, H01L 21/31 B
, H01L 21/316 X
, H01L 27/10 451
, H01L 49/02
, H01L 37/02
, H01L 41/18 101 B
, H01L 41/22 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平4-132615
-
特開平3-141146
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結晶性薄膜の成形法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-122756
Applicant:ローム株式会社
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