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J-GLOBAL ID：200903073427643118

短期間記憶回路並びに半導体装置の駆動回路及びその駆動方法

Inventor：
小山 潤

About 小山 潤


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997309430
Publication number (International publication number)：1999127060
Application date： Oct. 23, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置における面積を小さくしたデジタル情報の短期間記憶回路を提供する。【解決手段】 半導体装置におけるデジタル情報の短期間記憶回路を、電気スイッチ(213、214)、電気容量211及びバッファ素子215を用いて構成する。こうすることによって駆動回路中の短期間記憶回路の面積を減少させることができ、半導体表示装置の小型化を図ることができる。
Claim (excerpt)：
オン・オフ動作を行う電気スイッチと、電気容量と、電荷の供給をするバッファ素子とを有する短期間記憶回路において、前記電気スイッチは、外部からの制御信号により前記オン・オフ動作を行い、オン状態のときに前記電気スイッチの入力部に外部より供給される入力デジタル信号をそのまま電気スイッチの出力部に伝達し、前記電気容量は、前記電気スイッチの出力部に接続され且つ前記バッファ素子の入力部に接続され、前記電気スイッチがオン状態の時に前記入力デジタル信号の電圧情報を記憶し、オフ状態の時に前記電圧情報を保持し、前記バッファ素子は、該バッファ素子の出力部が前記電気容量に保持された電圧情報に応じた電圧になる為に必要な電荷を、該バッファ素子の出力部に供給し、前記電気容量が前記電圧情報を保持する時間は、短期間であることを特徴とする短期間記憶回路。
IPC (3)：
H03K 3/037 ,  G09G 3/20 623 ,  G09G 3/36
FI (3)：
H03K 3/037 Z ,  G09G 3/20 623 G ,  G09G 3/36
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-233013
  • 半導体集積回路装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-275589   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • フリツプフロツプ回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041922   Applicant：ソニー株式会社
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