強誘電体膜を有する不揮発性メモリ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044158
Publication number (International publication number)：1997213899
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 PbやBiを含まない新規な組成の強誘電体膜によって信頼性の高い高集積化された不揮発性メモリ(FRAM)を提供する。【解決手段】強誘電体膜12は、半導体基板1上のMFM構造の強誘電体素子或いはMFS構造又はMFMIS構造やMFIS構造の電界効果型強誘電体素子に形成される。強誘電体膜12(F)は、M12 (M2x、Ta1-x)2 O7 構造を持つ固溶体から構成される。ただし、M1がSr、Ca、La、Ndのうちの少なくとも1つの元素、M2がNb、Tiのうち少なくとも1つの元素であり、0.1≦x≦0.5である、xが0.1より小さい場合は室温より高い温度領域でキュリー点を持つことができず、結晶異方性も大きい。また、xが0.5より大きい場合は固溶体が形成されない。

Claim (excerpt)：

電極間の誘電体に強誘電体膜を用いた情報記憶用キャパシタと電荷転送用MOSトランジスタとが直列に接続されてなる複数のメモリセルが行列状に配列されているメモリセルアレイと、それぞれ同一行の前記メモリセルのMOSトランジスタのゲートに共通に接続されている複数本のワード線と、それぞれ同一行の前記メモリセルのキャパシタのプレートに共通に接続された複数本のプレート線と、それぞれ同一列の前記メモリセルのMOSトランジスタのソース/ドレイン領域のいづれかに共通に接続された複数本のビット線とを備え、前記強誘電体膜は、M12 M22 O7 及びM12 Ta2 O7 (但し、M1は、Sr、Ca、La、Ndから選ばれた少なくとも1つの元素、M2は、Nb、Tiから選ばれた少なくとも1つの元素である。)の固溶体からなることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (6)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

誘電体薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-133156 Applicant：シャープ株式会社

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