Pat

J-GLOBAL ID：200903073557550049

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 藤原 英明
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 森下 賢樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004095698
Publication number (International publication number)：2005285980
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】 信頼性の高い半導体装置、およびその半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 素子分離領域(STI)20により素子分離された半導体基板30中に、ソース領域40およびドレイン領域50が離間して設けられている。ソース領域40とドレイン領域50との間の半導体基板30は選択的に除去されゲート電極用の凹部が形成され、当該凹部にゲート電極用の凹部が形成されている。ゲート電極用の凹部82に、ゲート絶縁膜60およびゲート被覆層70を介してゲート電極80が形成されている。ゲート絶縁膜60は、その下面がソース側エクステンション領域42およびドレイン領域50の下面より下に位置する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板中に形成されたソース領域およびドレイン領域と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板に形成された凹部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、 を備え、 前記ゲート絶縁膜の下面が前記ソース領域および前記ドレイン領域の下面より下に設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

FI (10)：

H01L29/78 301S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 301V ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321E ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617L

F-Term (90)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD06 ,  4M104EE03 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB19 ,  5F048BC05 ,  5F048BC16 ,  5F048BD07 ,  5F048BG13 ,  5F048BH07 ,  5F110AA06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F140AA18 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BC15 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF43 ,  5F140BG34 ,  5F140BH14 ,  5F140BK03 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK19 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-031107   Applicant：日本電気株式会社