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J-GLOBAL ID：200903073576481457

半導体レーザ素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  松村 拓明 ,  杉本 康宜
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001069644
Publication number (International publication number)：2002270967
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 良好なFFPが得られる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 第1の導電型層と、活性層と、該第1の導電型層と異なる導電型の第2の導電型層とが順に積層された積層構造体にストライプ状の導波路領域を有し、前記第1の導電型層及び第2の導電型層にそれぞれ電極が設けられてなる半導体レーザ素子において、前記積層構造体は、前記ストライプ状の導波路領域近傍又は導波路領域に接して光吸収層を有している。

Claim (excerpt)：

第1の導電型層と、活性層と、該第1の導電型層と異なる導電型の第2の導電型層とが順に積層された積層構造体にストライプ状の導波路領域を有し、前記第1の導電型層及び第2の導電型層にそれぞれ電極が設けられてなる半導体レーザ素子において、前記積層構造体は、前記ストライプ状の導波路領域近傍又は導波路領域に接して光吸収層を有していることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (14)：

5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA84 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物系化合物半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-234883   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-206937   Applicant：株式会社東芝