窒化物系化合物半導体レーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234883
Publication number (International publication number)：1999074605
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】メサ幅を極端に狭くすることなく特性の優れた横モード制御を実現することができ、かつしきい値の低減をはかる。【解決手段】サファイア基板11上に、MQW活性層部16をAlGaNクラッド層15,17で挟んで形成されたダブルヘテロ構造のメサを有する半導体レーザにおいて、メサの側部に活性層部16よりも屈折率の高いGaN層19を埋め込んで、基本横モードを得るための反導波型の第1の導波構造を形成し、第1の導波構造の側部に発振光に対して損失を有する材料であるAu電極パッド22を配置し、高次のモードをカットオフするための第2の導波構造を形成した。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物系化合物半導体層を積層してなる窒化物系化合物半導体レーザであって、活性層を含むメサの外側を埋め込み層で埋め込み、接合面と平行方向に屈折率差を利用して作り付けられた第1の導波構造と、発振光に対して損失を有する材料、又は第1の導波構造を形成する埋め込み層とは異なる屈折率を有する材料からなり、第1の導波構造の外側に形成された第2の導波構造とを具備してなることを特徴とする窒化物系化合物半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体レーザ素子及び当該素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-316291 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280155 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-070657 Applicant：三菱電線工業株式会社

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