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J-GLOBAL ID：200903073593649450

高品質合成ダイヤモンド膜、その製造方法及び用途

Inventor： 水落 憲和 ,  渡辺 幸志 ,  磯谷 順一 ,  大串 秀世 ,  山崎 聡
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005368554
Publication number (International publication number)：2007173479
Application date： Dec. 21, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：

【課題】 非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによる化学気相堆積法によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスを用いた化学気相堆積法(CVD)によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  C30B 29/04

FI (7)：

H01L21/205 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C30B29/04 R ,  C30B29/04 X ,  C30B29/04 P ,  C30B29/04 E

F-Term (28)：

4G077AA03 ,  4G077BA02 ,  4G077DB02 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA28 ,  4K030BB05 ,  4K030FA01 ,  4K030LA11 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045CA09 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許公開2000-12550号公報
  
• 特許公開平6-84841号公報
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Deuterium depth profiles at CVD diamond surfaces
• Hydrogen in n-type diamond