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J-GLOBAL ID:200903073642054433
半導体基板のための研磨剤
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000504211
Publication number (International publication number):2001511468
Application date: Jul. 21, 1998
Publication date: Aug. 14, 2001
Summary:
【要約】本発明は、溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを有する研磨剤に関する。この研磨剤は、研磨粒子が実質的に、ガラス転移温度TGを有する物質からなっており、かつ研磨粒子がドーピング物質を含有していることを特徴としている。この場合、ドーピング物質の濃度は、ドーピングされる物質のガラス転移温度TG′が、ドーピングされない第一の物質のガラス転移温度TGよりも低いように確定されている。このような研磨剤は、半導体基板または該半導体基板上に設置された層のマイクロスクラッチのない平坦化のために使用することができる。
Claim (excerpt):
溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを含有する研磨剤において、 研磨粒子が実質的にガラス転移温度TGを有する第一の物質からなり、 かつ該研磨粒子がドーピング物質を含有しており、 その際、ドーピングされた物質のガラス転移温度TG′が、ドーピングされていない第一の物質のガラス転移温度TGよりも低いようにドーピング物質の濃度が確定されていることを特徴とする、研磨剤。
IPC (3):
C09K 3/14 550
, B24B 37/00
, H01L 21/306
FI (3):
C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, H01L 21/306 M
F-Term (9):
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB01
, 3C058DA02
, 5F043BB30
, 5F043DD16
, 5F043DD30
, 5F043FF07
, 5F043GG10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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研磨材、その製造方法及び研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-313621
Applicant:三井金属鉱業株式会社
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特開昭53-149203
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