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J-GLOBAL ID：200903073653239613

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 坂田 仁
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 藤田 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995329956
Publication number (International publication number)：1997148600
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 バイパスダイオードを外付けしたりすることなく、逆バイアス状態になったときの破壊,過熱等からの保護を図って逆方向電流をバイパスするようにした太陽電池を提供する。【解決手段】 半導体層4の面内で逆方向電流が他の部分より流れ易いバイパス部6を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体層の面内で逆方向電流が他の部分より流れ易いバイパス部を形成したことを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-269568   Applicant：シヤープ株式会社
• 特開平4-042974