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J-GLOBAL ID：200903073673116321

傾斜機能を有する不揮発性メモリアプリケーションのための強誘電体電界効果トランジスタおよびそれを作成する方法

Inventor： 有田 浩二 ,  パズ デ アラウジョ, カルロス エイ.
Applicant, Patent owner： シメトリックス・コーポレーション ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000616079
Publication number (International publication number)：2002543627
Application date： Mar. 21, 2000
Publication date： Dec. 17, 2002
Summary：

【要約】半導体基板(19)、強誘電体傾斜機能材料(「FGM」)薄膜(26、50、70、90、20、140、170)、およびゲート電極(30)を含む不揮発性非破壊読み出し強誘電体FETメモリ(10、40、60、80、100、110、120、130、160)である。1つの基本的な実施形態において、強誘電体FGM薄膜(26、50、70、90、20、140、170)は、強誘電体化合物および誘電体化合物を含む。誘電率は、強誘電体化合物よりも誘電体化合物の方が低い。薄膜中の強誘電体化合物には、傾斜濃度がある。第2の基本的な実施形態において、このFGM薄膜(26、50、70、90、20、140、170)は、傾斜機能強誘電体(「FGF」)であり、強誘電体化合物に組成傾斜を設けると、従来にないヒステリシス挙動が発生する。FGF薄膜のこの従来にないヒステリシス挙動は、強誘電体FETメモリの大きなメモリウィンドウに関連する。FGM薄膜(26、50、70、90、20、140、170)は好適には、液体ソースMOD法(好適にはマルチソースCVD法)を用いて形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板(19)、強誘電体薄膜およびゲート電極(30)を有する強誘電体FET(10、40、60、80、100、110、120、130、160)であって、該強誘電体薄膜は、強誘電体FGM薄膜(26、50、70、90、20、140、170)である、強誘電体FET。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 29/78 371

F-Term (19)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-511140   Applicant：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社