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J-GLOBAL ID：200903073682189080
金属挿入フラーレン様金属カルコゲニドの製法
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998524485
Publication number (International publication number)：2001504794
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：
【要約】挿入された金属粒子を含む金属酸化物のナノ粒子の製造方法及びそれから得られた金属カルコゲニドの金属挿入及び(又は)金属閉込め「無機フラーレン様」(以下「IF」という)構造体が与えられており、それは、金属II塩の存在下で、金属I材料を水蒸気と共に加熱するか、又は前記金属I材料と水又は他の適当な溶媒とを電子ビーム蒸発し、金属IIドープ金属I酸化物を回収するか、又は続いて硫化し、多量の、金属Iカルコゲニドの金属II挿入又は金属II閉込めIF構造体を生成させることからなる。金属II塩は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は遷移金属の塩であるのが好ましく、最も好ましくはアルカリ金属塩化物である。挿入及び(又は)閉込めIF構造体は、潤滑剤として有用である。それらは、例えば、アルコール中で安定な懸濁物を形成し、前期懸濁物からの電気泳動付着は、挿入IF材料の薄膜を生じ、それは或る範囲の潜在的用途を有する。
Claim (excerpt)：
金属IIをドープした金属I酸化物(ここで、前記金属IはIn、Ga、Sn及び遷移金属から選択され、前記金属IIはどのような金属でもよい)のナノ粒子又はナノウィスカーを製造する方法において、 (i)金属II塩の存在下で、金属I材料と水とを真空装置内で10-3〜10-5トールの底面圧で加熱するか又は金属I材料と水若しくは酸素含有揮発性溶媒とを真空装置中で10-5〜10-6トールの底面圧で電子ビーム蒸発させ、次いで (ii)真空装置の壁から金属IIをドープした金属I酸化物粉末を回収する、ことからなる上記製法。
IPC (6)：
C30B 29/62
, C01G 15/00
, C01G 31/02
, C01G 39/00
, C01G 41/00
, H01M 4/58
C30B 29/62 A
, C01G 15/00 B
, C01G 31/02
, C01G 39/00 Z
, C01G 41/00 Z
, H01M 4/58
Cited by examiner (2)
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遷移金属カルコゲニドの配向多結晶質薄膜
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-169194
Applicant：イエダリサーチアンドデベロツプメントカンパニーリミテツド
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特開昭62-087498
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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