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J-GLOBAL ID：200903073704296676

半導体ウェハ処理用反応炉

Inventor： スティーブン・エル・ピース ,  ゲイリー・エル・カーティス ,  レイモン・エフ・トンプソン ,  ブライアン・イーガーター ,  カート・ティ・ダンダス
Applicant, Patent owner： セミトゥール・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001537096
Publication number (International publication number)：2003514379
Application date： Oct. 27, 2000
Publication date： Apr. 15, 2003
Summary：

【要約】ウェハをスピンし、ウェハが回転している間に流体をウェハの第1面に流すことよりなる半導体WEはない知る維持の母材(55)の処理方法。流体は遠心力の作用でウェハの第1面上を半径方向外側にあらゆる方向へ流れる。ウェハの外周エッジから流れ出す流体は環状リザーバ(2650)に流入するので、ウェハの第2面の環状外周域にも流れる。リザーバに溜まった流体は排出口(2730)から流出する。この排出口がために、ウェハの第2面に流体が流れることのない分離線が形成される。半導体ウェハないし母材を処理する装置も開示している。

Claim (excerpt)：

半導体製品を処理する方法であって、 製品を回転させるステップと、 製品の第1面に処理液を宛うステップと、 回転に伴って発生する遠心力の作用で製品の第1面から半径方向外側に処理流体を流すステップと、 製品の外周において、製品の第2面の外側環状域に処理流体が流れるように当該処理流体を含ませるステップとからなる方法。

F-Term (11)：

5F043AA02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD23 ,  5F043EE03 ,  5F043EE08 ,  5F043EE09 ,  5F043EE15 ,  5F043EE16 ,  5F043EE33 ,  5F043EE35 ,  5F043EE36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-006843
  
• 半導体ウェハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-002722   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 処理装置および処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-305034   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-107827   Applicant：三洋電機株式会社