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J-GLOBAL ID：200903073789647081

半導体装置の作製方法

Inventor： 前川 慎志
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001351808
Publication number (International publication number)：2003151905
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】 非晶質半導体膜に添加する触媒元素の濃度を上げずに、さらに結晶化工程を複雑化させずに良好な結晶質半導体膜を作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 絶縁体上に形成された非晶質半導体膜上に絶対値が3×109dynes/cm2以上の応力を有する絶縁膜を成膜し、開口部を設けてマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜の選択的領域に触媒元素を添加して加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜上に絶対値が3×109dynes/cm2以上の応力を有する絶縁膜を成膜し、開口部を設けてマスク絶縁膜を形成する第2の工程と、前記非晶質半導体膜の選択的領域に触媒元素を添加する第3の工程と、加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成する第4の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z

F-Term (71)：

2H090HA05 ,  2H090HB03X ,  2H090HC11 ,  2H090HC15 ,  2H090HC17 ,  2H090HD01 ,  2H090LA04 ,  2H092HA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA29 ,  2H092NA27 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052EA02 ,  5F052EA16 ,  5F052FA01 ,  5F052FA06 ,  5F052FA24 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電気光学装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-072631   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-294633   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205346   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (3)

• 電気光学装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-072631   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-294633   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205346   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• VLSIとCVD, 19970731, p.209

Cited by examiner (2)

• VLSIとCVD, 19970731, p.209
• VLSIとCVD, 19970731, p.209