電気光学装置及びその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000072631
Publication number (International publication number)：2000340798
Application date： Mar. 15, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】動作性能および信頼性の高い電気光学装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】駆動回路を形成するnチャネル型TFT302にはLov領域207が配置され、ホットキャリア注入に強いTFT構造が実現される。また、画素部を形成するnチャネル型TFT304にはLoff領域217〜220及びオフセット領域が配置され、低オフ電流値のTFT構造が実現される。また、Loff領域217〜220に含まれるn型不純物元素を1×1016〜5×1018atoms/cm3程度まで低くすることで、さらにオフ電流値を低減できる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に画素部及び駆動回路を含む電気光学装置において、前記駆動回路を形成するnチャネル型TFTのLDD領域は、一部または全部が該nチャネル型TFTのゲート配線とゲート絶縁膜を挟んで重なるように形成され、前記画素部を形成する画素TFTのLDD領域は、該画素TFTのゲート配線とゲート絶縁膜を挟んで重ならないように形成され、前記画素TFTのチャネル形成領域及びLDD領域の間にはオフセット領域が形成されていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/322 , H01L 27/08 331 , H01L 21/336

FI (10)：

H01L 29/78 612 B , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/322 R , H01L 27/08 331 E , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 619 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-215257 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-271461 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-064772 Applicant：カシオ計算機株式会社

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