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J-GLOBAL ID：200903073797993878

金属セラミックス回路基板及びその製造方法

Inventor：
小山内 英世

About 小山内 英世

, 
風呂 正博

About 風呂 正博


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 澤木 誠一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000267206
Publication number (International publication number)：2002076551
Application date： Sep. 04, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来のセラミックス電子回路基板ではセラミックス基材が金属層と半田を介して金属ベース板に固定されているため各材料の熱膨張の差から接合面にクラックが生ずる欠点があった。【解決手段】 本発明においては、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板上に、片面に電子回路の役割を果たす金属導電体を有するセラミックス基板を一つあるいは複数接合させて金属セラミックス電子回路基板を構成する。アルミニウムまたはアルミニウム合金を真空または不活性ガス中で溶解して溶融体を得た後、該溶融体を真空または不活性ガス中で鋳型内においてセラミックス基板と接触させ、その際該溶融体とセラミックス基板とがそれらの界面に金属表面の酸化膜を介在させずに直接接触するようにして保持冷却することによって強固に接合させ、上記金属導電体とセラミックス基板をろう材を用いて接合する、あるいは、この逆の順序で接合する。上記ベース板は、その耐力が320(MPa )以下であり、かつ厚さが1mm以上とする。
Claim (excerpt)：
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板と、一面を上記ベース板に直接接合しているセラミックス基板を有し、上記アルミニウムまたはアルミニウム合金のベース板の耐力が320(MPa)以下であり、かつ厚さが1mm以上であることを特徴とする金属セラミックス回路基板。
IPC (8)：
H05K 1/05 ,  C04B 37/00 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 23/14 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 3/00 ,  H05K 7/20
FI (8)：
H05K 1/05 B ,  C04B 37/00 C ,  C04B 37/00 B ,  H01B 13/00 503 A ,  H05K 3/00 R ,  H05K 7/20 C ,  H01L 23/14 M ,  H01L 25/04 C
F-Term (22)：
4G026BA03 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BB27 ,  4G026BF16 ,  4G026BF57 ,  4G026BG02 ,  4G026BG25 ,  4G026BG26 ,  4G026BH07 ,  5E315AA02 ,  5E315BB03 ,  5E315CC07 ,  5E315DD25 ,  5E315GG01 ,  5E315GG16 ,  5E322AA11 ,  5E322AB06 ,  5E322EA10 ,  5E322EA11 ,  5E322FA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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