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J-GLOBAL ID：200903073801390032

単層カーボンナノチューブの製造法

Inventor： 市橋 鋭也 ,  松▲館▼ 政茂
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337937
Publication number (International publication number)：1995197325
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 01, 1995
Summary：

【要約】【目的】 単層カーボンナノチューブを効率よく製造する。【構成】 アーク放電を用いてナノチューブを生成するとき、負電極7は炭素棒電極で、正電極10として炭素棒に穴をあけ、そこに金属線を挿入したものを使う。炭素棒に金属線を挿入することで、表面に露出した炭素と金属の面積比を制御できるので、放電で蒸発する炭素と金属の量を制御できるようになり、大量に製造できる。さらに、キャリアガスとして希ガス、炭化水素ガスに加え、水素を添加することにより単層カーボンナノチューブ製造の収率を上げる。

Claim (excerpt)：

放電電極の一方に炭素、他方に金属と炭素の混合物を用い、原料ガスに炭化水素を用いたアーク放電による単層カーボンナノチューブの製造法であって、金属と炭素の混合物の電極として、炭素棒に穴をあけ金属線を挿入することにより形成されたものを用いる単層カーボンナノチューブの製造法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• カーボンチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-278287   Applicant：ソニー株式会社