半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996081541
Publication number (International publication number)：1997275138
Application date： Apr. 03, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】配線層中のCuが層間絶縁層へ拡散することを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成された3.9未満の比誘電率を有する層間絶縁層2と、この層間絶縁層2に形成された溝3に埋め込まれるように形成されている金属配線層6とを具備し、層間絶縁層2と金属配線層6との間に層間絶縁層2とは異なる材料の絶縁層4を具備し、この絶縁層4は金属配線層6の絶縁層4と接触する表面を構成する金属と反応しない材料で構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された3.9未満の比誘電率を有する層間絶縁層と、この層間絶縁層に形成された溝に埋め込まれるように形成されている金属配線層とを具備する半導体装置において、前記層間絶縁層と前記金属配線層との間に層間絶縁層とは異なる材料の絶縁層を具備し、この絶縁層は前記金属配線層の絶縁層と接触する表面を構成する金属と反応しない材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (3)：

H01L 21/90 M , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体素子の導電線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-310565 Applicant：三星電子株式会社
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089083 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-107188 Applicant：株式会社日立製作所

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