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J-GLOBAL ID：200903073848987924

III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置

Inventor： 皿山 正二 ,  岩田 浩和 ,  山根 久典 ,  島田 昌彦 ,  新木 隆司
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001355720
Publication number (International publication number)：2003160398
Application date： Nov. 21, 2001
Publication date： Jun. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 III族原料とV族原料を外部より反応容器内に供給する際、III族原料をより安定的に反応容器内に供給する。【解決手段】 反応容器101外にある少なくともIII族金属を含む物質110を収容している容器109の高さを高くすることで、少なくともIII族金属を含む物質110の自重により、反応容器101内に少なくともIII族金属を含む物質110を送り込むことができる。

Claim (excerpt)：

反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、前記混合融液が保持されている混合融液保持容器とは別に、少なくともIII族金属を含む物質を収容している容器が設けられており、反応容器内の圧力と少なくともIII族金属を含む物質を収容している容器の圧力とが同一であり、少なくともIII族金属を含む物質の自重により、反応容器外部から反応容器内部に少なくともIII族金属を含む物質を送り込むことを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 11/12

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  C30B 11/12

F-Term (6)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EG01 ,  4G077EJ05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-008695
  
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-277045   Applicant：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典
• 特開昭58-026096