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J-GLOBAL ID：200903073872439148

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 角屋 誠浩 ,  大本 豊 ,  薬師寺 守
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (2)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005117664
Publication number (International publication number)：2006295088
Application date： Apr. 15, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。【解決手段】 CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチングする装置を用いて、低誘電率膜のエッチングを行うエッチングプロセスにおいて、CxHyFzガス(x、y、z=0、1、2、...)であってかつN2及びO2を含まないガスを用いてエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (3)：

H01L21/302 101D ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 K

F-Term (28)：

5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB24 ,  5F004EA28 ,  5F004EA29 ,  5F004EB02 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033WW05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-200015   Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所