半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003200015
Publication number (International publication number)：2004072096
Application date： Jul. 22, 2003
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】銅配線層中の銅が拡散するのを防ぐことができる新規な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン含有絶縁膜111を銅配線層110上に形成し、NH3 、N2 、及びN2 Oのうちの少なくとも一を含む処理ガスをプラズマ化して、シリコン含有絶縁膜111を上記プラズマ化された処理ガスに曝して改質する半導体装置の製造方法による。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

シリコン含有絶縁膜を銅配線層上に形成し、 NH3 、N2 、及びN2 Oのうちの少なくとも一を含む処理ガスをプラズマ化して、前記シリコン含有絶縁膜を前記プラズマ化された処理ガスに曝して改質する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/3205

FI (4)：

H01L21/90 J , H01L21/316 M , H01L21/88 M , H01L21/90 A

F-Term (39)：

5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ90 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC09 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD12 , 5F058BE04 , 5F058BF02 , 5F058BF74 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-003541 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-319251 Applicant：三菱電機株式会社
成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-006381 Applicant：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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