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J-GLOBAL ID：200903073894658730

洗浄方法

Inventor： 水庭 哲夫 ,  白水 好美
Applicant, Patent owner： 栗田工業株式会社 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 内山 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995140014
Publication number (International publication number)：1996316187
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【構成】酸化性の塩素化合物を含む水溶液で、かつ前記水溶液の水素イオン濃度(pH)が1〜3である洗浄液を用いることを特徴とする固形物の洗浄方法。【効果】本発明方法によれば、有効成分を最大限発揮しうる濃度の薬液を用いて、半導体基板の表面の金属分ならびに有機成分を同時に効率よく低濃度まで除去することが可能であり、また、使用後の洗浄液の廃液処理も容易である。本発明の効果を半導体基板、特にシリコン基板を例にとって説明した。その主な理由は、シリコンプロセスが非常に清浄であることを必要として、本発明の効果を良く説明できるからである。しかしながら、本発明の洗浄法が半導体基板に限定されるべき理由はなく、その他の固形物の洗浄に対しても有効である。

Claim (excerpt)：

酸化性の塩素化合物を含む水溶液で、かつ前記水溶液の水素イオン濃度(pH)が1〜3である洗浄液を用いることを特徴とする固形物の洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/10 ,  H01L 21/308

FI (3)：

H01L 21/304 341 L ,  C11D 7/10 ,  H01L 21/308 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭58-100433
  
• 特開昭62-224939
  
• 半導体ウエハ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-191163   Applicant：株式会社東芝
• ウエハの洗浄処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143859   Applicant：川崎製鉄株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-100433
  
• 特開昭62-224939
  
• 半導体ウエハ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-191163   Applicant：株式会社東芝
• ウエハの洗浄処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143859   Applicant：川崎製鉄株式会社