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J-GLOBAL ID：200903073928535587

MRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法および構造

Inventor：
クルト,ホフマン

About クルト,ホフマン

, 
オスカー,コヴァリーク

About オスカー,コヴァリーク


Applicant, Patent owner：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

About インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト


Agent (1)： 原 謙三 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001225140
Publication number (International publication number)：2002134709
Application date： Jul. 25, 2001
Publication date： May. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】 所要スペースが小さく、読み取りプロセスごとに時間を費やさない、MRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取り方法を提供する。【解決手段】 本発明では、電圧領域(U1)では、メモリーセルの抵抗RA・RPは、メモリーセル内容に影響されないが、別の電圧領域(U2)では、同抵抗RA・RPは、セル内容に応じて変化する。これにより、相異なるメモリーセルの内容を相互に比較するために、セル内容によらない抵抗RA・RP(U1)によって、セル内容に影響される抵抗RA・RP(U2)を正規化できる。その結果、特定のメモリーセルの正規化された読出信号を、「0」または「1」で記述される基準セルの正規化された基準信号と比較し、そして、それにより、「1」または「0」としてのメモリーセル内容を検知することも可能である。
Claim (excerpt)：
MRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法において、(a)メモリーセルの抵抗値がメモリーセルのセル内容により影響を受けない電圧においてメモリーセルの正規抵抗値Rnormを決定する工程と、(b)メモリーセルの抵抗値がメモリーセルのセル内容により影響を受ける電圧においてメモリーセルの実際の抵抗値R(0)ないしはR(1)を決定する工程と、(c)Rnorm(0)=R(0)/Rnorm、ないしはRnorm(1)=R(1)/Rnormの形成による正規抵抗値を用いて実際の抵抗値を正規化する工程と、(d)Rnorm(0)ないしはRnorm(1)を基準値と比較する工程と、(e)比較結果に応じて0または1としてのメモリーセル内容を検知する工程とを含むことを特徴とするMRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  G01R 31/28 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (5)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 31/28 B
F-Term (7)：
2G132AA08 ,  2G132AC03 ,  2G132AL09 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 磁気抵抗素子と磁気ヘッド
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-172062   Applicant：リードライト・エスエムアイ株式会社
  • 磁気的メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-327740   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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