微結晶化合物光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997051931
Publication number (International publication number)：1998256577
Application date： Mar. 06, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 III -V族化合物半導体であって、広範囲の光学ギャップが自由に選べ、優れた光導電特性と高速応答性かつ耐環境特性や耐高温度特性を有し光学的に活性の大面積で安価な新しいオプトエレクトロニクス材料となりえる微結晶化合物光半導体及びその安全で低コストな製造方法を提供する。【解決手段】 0.5原子%以上40原子%以下の水素とGaとチッ素元素とを含有する微結晶化合物を構造内に50%以上有する。この微結晶化合物は、チッ素元素を含む化合物を、Gaを含む有機金属化合物との反応を生起させるのに必要なエネルギー状態や励起種に活性化し、これらの活性化したチッ素元素を含む化合物をとGaを含む有機金属化合物とを反応させることで製造しうる。

Claim (excerpt)：

0.5原子%以上40原子%以下の水素とGaとチッ素元素とを含有する微結晶化合物を構造内に有することを特徴とする微結晶化合物光半導体。

IPC (6)：

H01L 31/04 , G03G 5/08 , H01L 29/786 , H01L 31/107 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (6)：

H01L 31/04 X , G03G 5/08 Z , H01L 33/00 L , H01L 21/205 , H01L 29/78 622 , H01L 31/10 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平2-192772
青色発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-114541 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭56-116673

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