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J-GLOBAL ID:200903073939092415

固体撮像装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999052318
Publication number (International publication number):2000252451
Application date: Mar. 01, 1999
Publication date: Sep. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 暗電流の抑制などのために形成される保護膜からの入射光の反射が抑制された固体撮像装置を提供する。【解決手段】 水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜5と、シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有するシリコン窒化酸化膜4,6とが積層された多層膜を、シリコン基板に水素を供給する保護膜20として形成する。保護膜20は、好ましくは、膜厚方向において、その屈折率が連続的に変化するように形成される。
Claim (excerpt):
半導体基板内に形成された受光部の上方に、水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜と前記シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有する膜とが積層された多層膜を備えていることを特徴とする固体撮像装置。
F-Term (11):
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118DA03 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-200367
  • 固体撮像素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-304937   Applicant:ソニー株式会社
  • 撮像素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-263928   Applicant:ソニー株式会社
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