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J-GLOBAL ID:200903074007688228
単結晶製造方法及びその単結晶製造装置
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995200610
Publication number (International publication number):1997048688
Application date: Aug. 07, 1995
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】従来のマイクロパイプ欠陥を防止する製造方法では、結晶成長が(0001)面に対して直角方向に成長しているため、(0001)面を表面とする基板を大量生産するには不向きである。【解決手段】本発明は、開孔6を有する黒鉛製るつぼ1内で加熱昇華により炭化珪素原料粉末2から生成された昇華ガスが、種結晶を含有する単結晶基板3中の種結晶の表面に沿って略平行して流れ、該表面上に単結晶を成長する単結晶の製造方法を提供する。
Claim (excerpt):
製造すべき単結晶の原料を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、該単結晶を成長させる単結晶製造方法において、加熱昇華により前記原料から生成された昇華ガスが、種結晶を含有する単結晶基板中の種結晶の表面に沿って略平行して流れ、該表面上に単結晶を成長することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
C30B 23/00
, C30B 29/36 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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炭化ケイ素単結晶の成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-037208
Applicant:日新製鋼株式会社
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単結晶育成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-108897
Applicant:住友金属鉱山株式会社
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特公昭63-057400
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特開平1-286997
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SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-098148
Applicant:新日本製鐵株式会社
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SiC単結晶の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-163227
Applicant:三洋電機株式会社
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CVDによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-504350
Applicant:エービービーリサーチリミテッド, オクメティックリミテッド
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物体をエピタキシャル成長させる方法及びそのような成長のための装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-514192
Applicant:エービービーリサーチリミテッド, オクメティックリミテッド
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Cited by examiner (2)
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炭化ケイ素単結晶の成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-037208
Applicant:日新製鋼株式会社
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単結晶育成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-108897
Applicant:住友金属鉱山株式会社
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