Pat

J-GLOBAL ID：200903074007688228

単結晶製造方法及びその単結晶製造装置

Inventor： 木藤 泰男 ,  鈴木 昌彦 ,  杉山 尚宏
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995200610
Publication number (International publication number)：1997048688
Application date： Aug. 07, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来のマイクロパイプ欠陥を防止する製造方法では、結晶成長が(0001)面に対して直角方向に成長しているため、(0001)面を表面とする基板を大量生産するには不向きである。【解決手段】本発明は、開孔6を有する黒鉛製るつぼ1内で加熱昇華により炭化珪素原料粉末2から生成された昇華ガスが、種結晶を含有する単結晶基板3中の種結晶の表面に沿って略平行して流れ、該表面上に単結晶を成長する単結晶の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

製造すべき単結晶の原料を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、該単結晶を成長させる単結晶製造方法において、加熱昇華により前記原料から生成された昇華ガスが、種結晶を含有する単結晶基板中の種結晶の表面に沿って略平行して流れ、該表面上に単結晶を成長することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36

FI (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭化ケイ素単結晶の成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-037208   Applicant：日新製鋼株式会社
• 単結晶育成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-108897   Applicant：住友金属鉱山株式会社