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J-GLOBAL ID：200903074028561120

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
三瀬 信行

About 三瀬 信行


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003354249
Publication number (International publication number)：2005123276
Application date： Oct. 14, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
【課題】 ゲート電極を加工する際、ゲート絶縁膜がダメージを受けにくい半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】 半導体基板10上にゲート絶縁膜14を形成し、このゲート絶縁膜14上にタンタル膜15を形成する。続いて、パターニングした酸化シリコン膜16をタンタル膜15上に形成する。次に、この酸化シリコン膜16をマスクにして、タンタル膜15が所定の膜厚になるまでドライエッチングする。このとき、エッチング温度を約300°C以上にして行なう。その後、タンタル膜15が所定の膜厚以下になって部分的に孤立し始めた段階で、エッチング温度を約300°Cから約100°Cに下げてドライエッチングする。【選択図】 図10
Claim (excerpt)：
(a)半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、 (b)前記絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、 (c)前記導体膜を選択的にエッチングすることにより、ゲート電極を形成する工程とを備え、 前記(c)工程は、 (c1)第1温度で前記導体膜を途中までドライエッチングする工程と、 (c2)前記(c1)工程後、前記第1温度より低い温度で前記導体膜をドライエッチングすることによりゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 E ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 D ,  H01L21/302 104C
F-Term (110)：
4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BB26 ,  5F004BD03 ,  5F004CA04 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13 ,  5F004DB23 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033WW02 ,  5F033WW10 ,  5F033XX00 ,  5F140AA26 ,  5F140AA38 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF42 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-344081   Applicant：松下電子工業株式会社
Cited by examiner (2)

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