ドライエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999344081
Publication number (International publication number)：2001160549
Application date： Dec. 03, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】金属材料で構成されたメタルゲート電極のドライエッチ時のゲート酸化膜破れを抑制するドライエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明は、タングステンを含む金属材料で構成されたメタルゲート電極4のドライエッチングにパルス変調プラズマを適用することにより、ゲート酸化膜2に損傷を与えないドライエッチング方法を提供するものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上のゲート絶縁膜上に形成された高融点金属膜を含む積層膜をエッチングしてゲート電極を形成するためのエッチング方法であって、前記エッチングが時間変調された高周波励起プラズマによって行われることを特徴とするドライエッチング方法。

F-Term (22)：

5F004AA05 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DA29 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EA28 , 5F004EB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

試料の表面処理方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-036226 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-120150 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-209094 Applicant：株式会社東芝

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