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J-GLOBAL ID：200903074078645139
フタリド化合物の製造法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森岡 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996327801
Publication number (International publication number)：1997263704
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】【構成】 本発明はインドールおよび塩化アセチルを無水酢酸中で反応する第1工程と、該反応物中に安息香酸誘導体を添加して反応する第2工程とを連続してワンポットで行うことを特徴とする一般式(V)で表されるフタリド化合物の製造法に関する。【化1】【効果】 エチレン化合物を製造する第1工程とこれを用いてフタリド化合物を製造する第2工程を連続して行うワンポット法によりエチレン化合物の単離を省略して工業上有利にフタリド化合物が得られる。また、このフタリド化合物を用いた記録材料は、発光波長が570〜780nmの領域にある光源を用いたOCRの読み取りに適している。
Claim (excerpt)：
一般式(IV)で表されるインドールおよび塩化アセチルを無水酢酸中で反応する第1工程と、該反応物中に一般式(III)で表される安息香酸誘導体を添加して反応する第2工程とを連続してワンポットで行うことを特徴とする一般式(V)で表されるフタリド化合物の製造法。【化1】【化2】【化3】(式中、R1とR3は個別にアルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基、R2とR4は個別にメチル基またはフェニル基、R5とR6は個別にアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアリール基、R7は水素、アルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基を示す。R5とR6は結合して窒素原子と共に複素環を形成してもよい。)
IPC (4)：
C09B 11/00
, B41M 5/145
, B41M 5/30
, C07D405/06 209
C09B 11/00 P
, C07D405/06 209
, B41M 5/12 104
, B41M 5/18 104
