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J-GLOBAL ID：200903074090872655
プラズマ処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995045759
Publication number (International publication number)：1996241886
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】特に大面積の半導体等の加工膜を有する基板を実用的速度で高精度に所望パターンを形成することができる基板のプラズマ処理方法を提供する。 【構成】500〜1000Torrの圧力のもと、活性ガス雰囲気下、又は活性ガスと不活性ガスとの雰囲気下において、少なくとも一方の電極の表面に誘電体を配設した平行平板型又は/及び棒状電極型の間に周波数50Hz〜20MHzの電圧を印加してプラズマを発生せしめ、前記電極間に位置せしめた基板をエッチングまたはアッシング処理する基板のプラズマ処理方法である。
Claim (excerpt)：
500〜1000Torrの圧力のもと、活性ガス雰囲気下、又は活性ガスと不活性ガスとの雰囲気下において、少なくとも一方の電極の表面に誘電体を配設した平行平板型又は/及び棒状電極型の間に周波数50Hz〜20MHzの交流電流を供給してプラズマを発生せしめ、前記電極間に位置せしめた基板をエッチングまたはアッシング処理する基板のプラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05K 3/26
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 E
, H05K 3/26
, H01L 21/302 H
Cited by examiner (7)
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