発光ダイオード

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267370
Publication number (International publication number)：1997116192
Application date： Oct. 16, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】この発明は、発光層上に積層形成される層の屈折率を最適化して界面反射損を減少させ、光出力を向上させることを課題とする。【解決手段】この発明は、発光層6上に積層形成されたクラッド層7における発光波長に対する屈折率は、クラッド層7の下部から上部へ連続的に減少してなり、クラッド層7の上にシリコン窒化薄膜8が積層形成され、シリコン窒化薄膜8上にポリイミド系薄膜9が積層形成され、ポリイミド系薄膜9上にエポキシ樹脂12が形成され、クラッド層7の上部における発光波長に対する屈折率をn1、シリコン窒化薄膜8の発光波長に対する屈折率をn2 、ポリイミド系薄膜9の発光波長に対する屈折率をn3 、エポキシ樹脂12の発光波長に対する屈折率をn4 とすると、屈折率はn1 >n2 >n3 >n4 に設定されて構成される。

Claim (excerpt)：

発光層を含む化合物半導体層が積層形成されたペレットが封止材により封止されてなる発光ダイオードにおいて、前記化合物半導体層の一方のクラッド層における発光波長に対する屈折率は、前記クラッド層の下部から上部へ連続的に減少してなることを特徴とする発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-182279
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-098621 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平1-223780

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