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J-GLOBAL ID:200903074113850760
真空処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
飯阪 泰雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994261016
Publication number (International publication number):1996100260
Application date: Sep. 30, 1994
Publication date: Apr. 16, 1996
Summary:
【要約】[目的] 成膜用、エッチング用、イオン注入用の真空処理装置において、処理室を大気開放することなく、基板周辺の治具・装置部品を交換し得る真空処理装置を提供すること。[構成] マルチチャンバ方式の真空処理装置10において、独立して真空排気可能な取出搬入室3を処理室1とは搬送室2を介して設け、処理室1内でウエハ基板13の周辺に着脱容易に設けられており、膜の付着したカバーリング17を搬送室2に設けた伸縮型アーム21によって処理室1から搬送室2を経て取出搬入室3へ収容する。次いでゲート弁7を閉として取出搬入室3のみを大気開放し、カバーリング17を系外へ取り出して再生する。搬入は逆の手順で行なう。
Claim (excerpt):
成膜、エッチング、またはイオン注入を行なうための処理室を有する真空処理装置において、前記処理室内の基板周辺に設けられる治具・装置部品を前記真空処理装置から系外へ取り出し、また系外から搬入するための、独立して真空排気の可能な取出搬入室が前記処理室とは搬送室を挟んで、または直接に隣設して配置されて、前記各室間は開閉可能なゲート弁を介して接続されており、かつ前記搬送室又は前記処理室に隣設した前記取出搬入室には前記治具・装置部品を前記処理室から前記取出搬入室へ、及び前記取出搬入室から前記処理室へ搬送するための搬送機器が設けられており、前記処理室は前記治具・装置部品の取出時、搬入時において真空に維持されることを特徴とする真空処理装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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半導体装置製造用スパッタ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-155930
Applicant:富士電機株式会社
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特開平3-053063
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