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J-GLOBAL ID：200903074133959598

スパッタリング装置

Inventor： 阿部 淳博
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003419803
Publication number (International publication number)：2005179716
Application date： Dec. 17, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】 比較的高速で成膜できるようにすると共にプラズマやその輻射熱によるダメージ及び残留応力の少ない良質なスパッタリング膜を得ることを目的とする。【解決手段】 真空槽10内に、スパッタリング膜を付ける基板1と、この基板1に対し垂直方向で且つ互いに対向して第1及び第2のターゲット41及び42を配するようした第1及び第2のカソード101及び102とを有するスパッタリング装置において、この第1のターゲット41の裏面側にこの第1のターゲット41の表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界8を発生する第1の湾曲磁界発生手段6a,6bを設けると共に、この第2のターゲット42の裏面側にこの第2のターゲット42の表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界8を発生する第2の湾曲磁界発生手段6c,6dを設けたものである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

真空槽内に、スパッタリング膜を付ける基板と、前記基板に対し垂直方向で且つ互いに対向して第1及び第2のターゲットを配するようした第1及び第2のカソードとを有するスパッタリング装置において、 前記第1のターゲットの裏面側に前記第1のターゲットの表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第1の湾曲磁界発生手段を設けると共に 前記第2のターゲットの裏面側に前記第2のターゲットの表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第2の湾曲磁界発生手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (5)：

C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/40 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

FI (5)：

C23C14/34 D ,  C23C14/35 Z ,  C23C14/40 ,  H01L21/285 S ,  H01L21/31 D

F-Term (12)：

4K029BA01 ,  4K029BA43 ,  4K029BA58 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4M104DD39 ,  5F045AA19 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• スパッタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-152408   Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 新日本製鐵株式会社
• スパッタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-345834   Applicant：株式会社日立製作所