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J-GLOBAL ID：200903074193857050

金属層用化学・機械研磨スラリー

Inventor： デビッド ジェイ.フラック ,  チェング - フング フング ,  マイクル エイ.ルカレリ ,  マシュー ネビル ,  デボラ リン シャーバー
Applicant, Patent owner： キャボット コーポレイション
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995258875
Publication number (International publication number)：1996197414
Application date： Oct. 05, 1995
Publication date： Aug. 06, 1996
Summary：

【要約】【課題】 金属層用化学・機械研磨スラリーを提供すること。【解決手段】 水性媒質中に均一に分散した、約40m2 /g〜約430m2 /gの範囲の表面積と、約1.0μ未満の凝集体サイズ分布と、約0.4μ未満の平均凝集体直径と、粒子間のファンデルワールス力に反発し、これを克服するために充分な力とを有する、高純度の金属酸化物微粒子を含み、コロイド的に安定である金属層用化学・機械研磨スラリー。

Claim (excerpt)：

水性媒質中に均一に分散した、約40m2 /g〜約430m2 /gの範囲の表面積と、約1.0μ未満の凝集体サイズ分布と、約0.4μ未満の平均凝集体直径と、粒子間のファンデルワールス力に反発し、これを克服するために充分な力とを有する、高純度の金属酸化物微粒子を含み、コロイド的に安定である金属層用化学・機械研磨スラリー。

IPC (4)：

B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体ウェーハーの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-012869   Applicant：日産化学工業株式会社
• 特開平1-205973