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J-GLOBAL ID：200903074225709121

電磁波吸収体

Inventor： 榎田 功治
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000396307
Publication number (International publication number)：2002198684
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】電子機器内の電磁結合、放射雑音の抑制効果を持つ電磁波吸収体を得る。【解決手段】合成樹脂に、Ni79.0〜81.0重量%、Mo3.0〜6.0重量%、残部がFeからなる軟磁性金属を60〜90体積%分散含有した複合材からなることを特徴とする電磁波吸収体とする。

Claim (excerpt)：

合成樹脂に、Ni79.0〜83.0重量%、Mo3.0〜6.0重量%、残部がFeからなる軟磁性金属粒子を60〜90体積%分散含有した複合材からなることを特徴とする電磁波吸収体。

IPC (4)：

H05K 9/00 ,  B22F 1/00 ,  C22C 19/03 ,  H01Q 17/00

FI (5)：

H05K 9/00 M ,  B22F 1/00 M ,  B22F 1/00 ,  C22C 19/03 D ,  H01Q 17/00

F-Term (8)：

4K018BA04 ,  4K018BD01 ,  5E321BB32 ,  5E321BB53 ,  5E321GG11 ,  5J020BD02 ,  5J020EA02 ,  5J020EA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置および電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-009229   Applicant：株式会社日立製作所