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J-GLOBAL ID：200903065316782981

半導体装置および電子装置

Inventor： 前嶋 信義 ,  遠藤 恒雄 ,  栗原 保敏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998009229
Publication number (International publication number)：1999214592
Application date： Jan. 21, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電磁的遮蔽機能を有しかつ内蔵電子部品のはんだ接続部の耐熱疲労性と気密性に優れた小型化で低廉な半導体装置の提供。【解決手段】 配線基板(配線金属基板)と、前記配線基板に合金材によって接続される一つ以上の半導体素子や受動素子等の部品と、前記配線基板の所定部と前記部品を被覆する絶縁性樹脂からなる封止体とを有し、前記合金材は90wt%以上のSnにSb,Ag,Zn,In,Cu及びBiの群から選択された1種類以上の金属が添加(分散添加)された合金からなり、前記封止体は有機樹脂(エポキシ樹脂)に35〜95vol%の金属磁性体粉末(Fe粉末又はFe,Si,Al,Ni,Mo,Mn,Cu,Cr及びCoの群から選択された少なくとも1種類以上の金属を含む合金粉末)またはフェライト粉末が添加され、かつ熱膨張率が14〜20ppm/°Cになっている。

Claim (excerpt)：

配線基板と、前記配線基板に合金材によって接続される一つ以上の部品と、前記配線基板の所定部と前記部品を被覆する絶縁性樹脂からなる封止体とを有し、前記合金材は90wt%以上のSnにSb,Ag,Zn,In,Cu及びBiの群から選択された1種類以上の金属が添加された合金からなり、前記封止体は有機樹脂に35〜95vol%の金属磁性体粉末またはフェライト粉末が添加されかつ熱膨張率が14〜20ppm/°Cになっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H05K 3/34 512 ,  H05K 9/00

FI (3)：

H01L 23/30 R ,  H05K 3/34 512 C ,  H05K 9/00 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-103404   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-109352
  
• 半導体素子用ダイボンド材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-031568   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開昭56-056644