窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉武賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001293978
Publication number (International publication number)：2003101150
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】歩留まりが高い窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、及び、歩留まりが高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】液相堆積法(LPD)により、誘電体膜を、レジストパターン上には堆積させず、レジストパターンが形成されていない窒化ガリウム系化合物半導体層上に選択的に堆積させる。これにより、電極の形成や高反射コート膜の形成を設計した場所に位置ずれなく行うことができる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、誘電体を過飽和に溶解した水溶液に前記窒化ガリウム系化合物半導体層を浸して前記レジストパターンが形成された部分を除いて前記窒化ガリウム系化合物半導体層上に誘電体膜を選択的に析出させる工程と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (5)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 , H01S 5/042 610 , H01S 5/10 , H01S 5/22

FI (6)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01S 5/042 610 , H01S 5/10 , H01S 5/22

F-Term (23)：

5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA98 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB20 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073DA33 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-152674 Applicant：富士通株式会社
窒化物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-301585 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-180039

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