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J-GLOBAL ID：200903078544527155

半導体レーザ装置

Inventor：
窪田 晋一

About 窪田 晋一


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998152674
Publication number (International publication number)：1999346026
Application date： Jun. 02, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 紫外光から青色光の範囲の光を発するGaN系の半導体レーザ装置であって、単一横モードで発振することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 第1のクラッド層16と、第1のクラッド層16上に形成され、GaN系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層20と、活性層20上に形成された第2のクラッド層26とを有し、第2のクラッド層26は、活性層20に達しないメサストライプに加工されており、メサストライプを除く領域の第2のクラッド層26の膜厚をa、メサストライプの幅をbとして、メサストライプの幅bが、b≦0.799×Exp(0.00553×a)の関係を有している。
Claim (excerpt)：
第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成され、GaN系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層と、前記活性層上に形成された第2のクラッド層とを有し、前記第2のクラッド層は、前記活性層に達しないメサストライプに加工されており、前記メサストライプを除く領域の前記第2のクラッド層の膜厚をa、前記メサストライプの幅をbとして、前記メサストライプの幅bが、b≦0.799×Exp(0.00553×a)の関係を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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