フォトマスクとこのフォトマスクを用いた露光方法及びこのフォトマスクの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995240002
Publication number (International publication number)：1996152707
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 L&Sパターン及び孤立パターン(コンタクトホール、孤立残し、孤立抜き)双方に対して高解像度の露光が可能なフォトマスク、このフォトマスクを用いた露光方法、及びフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ上に露光するパターンが周期パターンである場合、この周期のほぼ2倍の周期で、フォトマスク上に透過部と半透過部とによりマスクパターンが形成される。半透過部は、透過部を透過する露光光に対して、位相差がほぼ180 ゚となるように形成される。更に0次回折光をなくすため、半透過部の面積をA1 、透過部の面積をA2 とした場合、半透過部の振幅透過率tはt≒A1 /A2 とされる。又、パターンの種類に応じて半透過部の振幅透過率を変更、フォトマスクに対する露光量を制御し、L&Sパターン、孤立パターンが1枚のフォトマスクで同時にウェハ上に転写される。

Claim (excerpt)：

投影光学系を介して所望のパターンをウェハ上に露光する投影露光装置に用いられるフォトマスクにおいて、前記所望のパターンが、周期パターンである場合、ほぼ2倍の周期パターンで形成されたマスクパターンであって、前記マスクパターンは、露光光を透過する透過部と、この透過部を透過する露光光と位相差がほぼ180 ゚となるように形成され、所定の透過率を有する半透過部とにより形成されることを特徴とするフォトマスク。

IPC (4)：

G03F 1/08 , G03B 27/54 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 527

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

露光方法及び投影露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138982 Applicant：株式会社ニコン

Cited by examiner (1)

露光方法及び投影露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138982 Applicant：株式会社ニコン

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