プラズマエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995265602
Publication number (International publication number)：1997115878
Application date： Oct. 13, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【目的】 Al系金属配線等の導電材料層上に形成された低誘電率の有機高分子系絶縁膜に接続孔を開口する際の、残渣発生を防止しうるプラズマエッチング方法を提供する。【構成】有機高分子系絶縁膜2のプラズマエッチングに際し、微量のCl2 ガスを添加したCF系ガスあるいはO2 ガスによりパターニングする。【効果】下層の導電材料層1が露出した時点で、接続孔5側面にクラウン状残渣が再付着したり、導電材料層1の露出表面に酸化被膜が形成されたりする不都合が回避できる。したがって、コンタクト抵抗の上昇やステップカバレッジの劣化をきたすことがない。

Claim (excerpt)：

導電材料層上の有機高分子系絶縁膜に、前記導電材料層に臨む接続孔を開口するプラズマエッチング方法において、前記有機高分子系絶縁膜を、CF系ガス、および酸素系化学種を発生しうるガスのうちの少なくともいずれか1種のガスと、塩素系化学種を発生しうるガスと、を含むエッチングガスを用いてパターニングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 E , H01L 21/28 L , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-120729
反応性ドライエツチング法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-329582 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-175634

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