ダイナミック型RAM

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：徳若光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994337975
Publication number (International publication number)：1996180678
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】広い動作周波数範囲での安定した動作を可能にしたダイナミック型RAMを提供する。【構成】シンクロナスDRAMにおいて、PLL回路又はDLL回路により外部から供給されたクロック信号に同期した内部クロック信号を形成し、外部から供給されたモード設定情報に基づいてPLL回路の可変周波数範囲又はDLL回路の可変遅延時間を変化させる切り替え回路を設ける。【効果】内部クロック信号をPLL回路又はDLL回路で形成しているので、高い周波数でも安定して外部クロック信号と同期を採ることができるとともに、その動作範囲を切り替えることにより低い動作周波数までの広い動作周波数範囲を実現することができる。

Claim (excerpt)：

外部端子から供給されたクロック信号と内部クロック信号とを比較する位相比較器と、かかる位相比較器の出力信号を直流化するループフィルタと、かかるループフィルタにより形成された制御電圧により単位のインバータ回路の信号遅延量が制御され、その発振信号に基づいて上記内部クロック信号が形成されるリングオシレータと、外部から供給されたモード設定情報に基づいて上記リングオシレータの可変周波数範囲を変化させる切り替え回路とを備えたPLL回路と、上記内部クロック信号に同期して少なくともアドレス信号、制御信号及び書き込み信号の入力と、読み出し信号の出力とが制御される入出力インターフェイスを備えてなることを特徴とするダイナミック型RAM。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭64-062023
特開平3-259619
同期型半導体記憶装置および半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-296339 Applicant：三菱電機エンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

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