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J-GLOBAL ID：200903074333811170

プラズマ処理装置および方法

Inventor： 小角 雄一 ,  稲葉 宏 ,  佐々木 新治 ,  片岡 宏之 ,  本田 好範 ,  寺門 正倫 ,  古澤 賢司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995017682
Publication number (International publication number)：1996209352
Application date： Feb. 06, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】ディスク基板の両面に量産性よく均一にプラズマ処理を行い、例えばダイヤモンド状炭素(DLC)保護膜を形成する。【構成】ディスク基板を取り囲む様に同電位の連続した電極にてプラズマ処理室の内壁構成することにより、ディスク基板の周囲に均一の状態のプラズマを発生させる。またディスク基板の表裏両面をつなげるプラズマ部分の断面積を、ディスク基板と及びその保持具の面積にくらべ大きくする。プラズマはディスク基板の外周端及び中央穴を均一な状態で包囲する。さらに、プラズマ処理室からのガスの排気経路を主排気路とバイパス排気路とで構成することにより、基板にプラズマ処理した後このバイパス排気路を用いてプラズマ処理室からガスを一挙に排出する。【効果】ディスク基板の両面に均一にダイヤモンド状炭素(DLC)保護膜を形成することができる。また、ガスの排気等を迅速に行うことにより基板の生産性を向上させることが出来る。

Claim (excerpt)：

所定の内部空間を有するプラズマ処理槽と、ディスク基板を保持する保持具と、該保持具を動かし、該処理槽にこの基板を出し入れする手段と、前記処理槽に反応ガスを供給する手段と、前記処理槽から反応ガスを排気する手段と、前記処理槽にプラズマを発生させるための電力を供給する手段とを有し、該処理槽内にディスク基板を入れてディスク基板の両面を同時にプラズマ処理する装置であって、前記処理槽内に発生するプラズマが同一電位で高周波高電圧の状態で保たれるように、実質的に同一電位の連続した電極が該処理層の内部空間を包囲して設けられ、かつディスク基板およびその保持具は接地電位に保たれ、該基板の周囲面と前記電極の間にプラズマが発生しうる空間を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/04 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097646   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭61-015975