高周波用半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107139
Publication number (International publication number)：1997293826
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波からミリ波帯域でも使用可能で信号の反射損、放射損等による特性劣化が小さい高周波用半導体装置、ならびにフィルターを内蔵した小型化が可能な高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】誘電体材料からなる絶縁基板2と蓋体3により形成されるキャビティ4内部に半導体素子5や回路部品が搭載された半導体装置1において、キャビティ4内部の絶縁基板2の表面に半導体素子5と接続された高周波用伝送線路8と、絶縁基板2の底面に形成された高周波用伝送線路10を電磁結合させ、また、上記高周波用伝送線路8、10をアース層6に形成されたスロット孔11を介して電磁結合し、第2の伝送線路にフィルター回路を介在させ、さらに伝送線路10の一部を外部電気回路基板に実装する。

Claim (excerpt)：

誘電体材料からなる絶縁基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に半導体素子が搭載された半導体装置において、前記キャビティ内部の前記絶縁基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の高周波用伝送線路と、前記絶縁基板の底面に第2の高周波用伝送線路と形成し、前記第1の高周波伝送線路と第2の高周波用伝送線路とを電磁結合させたことを特徴とする高周波用半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置用パツケージの入出力結合デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-245802 Applicant：住友電気工業株式会社
特開平3-129903
高周波気密モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-054158 Applicant：三菱電機株式会社

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