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J-GLOBAL ID：200903074393519940

プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法

Inventor：
並木 恒久

About 並木 恒久


Applicant, Patent owner：
東洋製罐株式会社

About 東洋製罐株式会社


Agent (1)： 渡辺 秀夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994340800
Publication number (International publication number)：1996175528
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の高ガス遮断性被膜を形成する方法を提供する。【構成】 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりT.g.が高いプラスチックス材料からなる立体形状の容器の被膜を形成しない表面側に容器の被膜を形成する表面と電極表面との距離が10mm以下でほぼ一定である高周波電極を配置し、被膜を形成する表面側に容器の表面と電極表面との距離が高周波電極と被膜を形成する容器表面との距離より大きくほぼ一定であるアース電極を設置し、CVD法により生成した珪素酸化物のプラズマを容器とアース電極の間に導入して放電ガス圧0.0005〜0.05torrで容器のアース電極と対向した表面に珪素酸化物薄膜を均一の膜厚に付着させることを特徴とするプラスチックス材料からなる立体形状の容器にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法である。
Claim (excerpt)：
珪素酸化物薄膜の製膜温度よりT.g.が高いプラスチックス材料からなる立体形状の容器の被膜を形成しない表面側に容器の被膜を形成する表面と電極表面との距離が10mm以下でほぼ一定である高周波電極を配置し、被膜を形成する表面側に容器の表面と電極表面との距離が高周波電極と被膜を形成する容器表面との距離より大きくほぼ一定であるアース電極を設置し、CVD法により生成した珪素酸化物のプラズマを容器とアース電極の間に導入して放電ガス圧0.0005〜0.05torrで容器のアース電極と対向した表面に珪素酸化物薄膜を均一の膜厚に付着させることを特徴とするプラスチックス材料からなる立体形状の容器にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。
IPC (5)：
B65D 1/09 ,  B32B 9/00 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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